星载相控阵对功放器件的功率密度和效率要求不断提高，GaN-on-SiC材料因击穿场强高、导热较好而受到关注。近期，相关工艺线完成一轮良率提升，晶圆均匀性和器件一致性有所改善。器件性能提升的同时，封装热阻和长期可靠性仍是装星前必须解决的问题，相关工艺改进已进入整机验证阶段。 GaN-on-SiC器件在碳化硅衬底上外延氮化镓层，利用衬底导热把热量导出。功放工作时结温升高会影响增益和寿命，因此需要从芯片布局、贴装材料和散热结构多方面控制热阻。星载应用还要考虑真空环境下的散热路径，以及温度循环引起的焊点疲劳，封装工艺要经过严格筛选，筛选项目包括热阻与温度循环。 本轮改进集中在外延生长均匀性、栅极工艺和钝化层质量。测试数据显示，晶圆内器件阈值电压分散度收窄，输出功率一致性提高。团队对样品进行高温反偏和温度循环考核，观察参数漂移情况，并把失效样品做剖面分析，定位缺陷来源。部分批次已交付整机单位开展匹配试验，整机单位将反馈装配与散热数据。 功放器件进步会推动相控阵向更高频段和更小间距发展，但阵列规模扩大后，功耗与散热压力同步上升。星载电子设备的设计需要在效率、重量和可靠性之间取舍。后续还需通过整阵热真空试验验证散热方案，单器件指标提升并不等于系统性能同步改善，阵列级验证仍是下一阶段的工作重点之一。