截至2026年10月，星链在轨卫星约1.11万颗，国内千帆星座与GW星座合计规划接近3万颗。星座规模扩张带动星载相控阵需求，T/R组件作为相控阵阵面的核心部件，占其成本的主要部分。上游材料正由砷化镓向氮化镓迁移，GaN-on-SiC工艺成为产业关注焦点。国内多家企业在衬底、外延和器件环节同步布局。 氮化镓器件具有更高的功率密度和耐热能力，可在相同口径下提升发射功率与效率，同时减少散热负担。对卫星而言，这意味着更小的阵面面积或更低的功耗预算。但GaN-on-SiC衬底成本较高，工艺良率和一致性控制难度大，短期内难以完全替代成熟方案，混合使用的情况较为普遍。 受益环节包括星载相控阵、T/R芯片、星间激光和星上处理。国内T/R芯片企业正从单器件供应向组件和模组延伸，与整机厂形成配套关系。星座批产对成本极为敏感，单星阵面通道数、频段配置和集成方式都会影响采购结构，供应商需要参与前期设计才能锁定份额。在成本压力下，部分整机厂开始与芯片企业联合定义产品规格，以缩短导入周期。 产业链的机会与风险并存。一方面，近3万颗的规划规模为上游提供了长期需求预期；另一方面，星座实际部署节奏受资金、发射能力和频率协调制约，订单释放可能慢于规划。GaN产线建设投入大，若需求不及预期，产能利用率下降会侵蚀利润。相关企业需平衡扩产节奏与客户验证进度，投资者应关注实际出货而非规划数字。